MJ11016G, Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 120 В, 30 А, 200 Вт, [TO-3]

MJ11016G, Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 120 В, 30 А, 200 Вт, [TO-3]
MJ11016G, Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 120 В, 30 А, 200 Вт, [TO-3]
MJ11016G, Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 120 В, 30 А, 200 Вт, [TO-3]
Артикул: MJ11016G
Виробник:
ON Semiconductor
Документація:
Завантажити Datasheet
Darlington BJT
Trans Darlington NPN 120V 30A 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray