MMBT5401LT1G, Биполярный транзистор, PNP, 160 В, 0.6 А, 0.225 Вт, [SOT-23]
Товари Транзисторы биполярные (BJTs) MMBT5401LT1G, Биполярный транзистор, PNP, 160 В, 0.6 А, 0.225 Вт, [SOT-23] MMBT5401LT1G, Биполярный транзистор, PNP, 160 В, 0.6 А, 0.225 Вт, [SOT-23] Виробник: ON SemiconductorДокументація: Завантажити Datasheet ОписХарактеристикаПропозиції постачальниківЗ терміном поставкиMMBT5401LT1G, Биполярный транзистор, PNP, 160 В, 0.6 А, 0.225 Вт, [SOT-23]СтруктураpnpМакс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В160Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)0.5Статический коэффициент передачи тока h21э мин60Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц300Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт0.3Корпусsot-23Пошук з наявності в Україні: Пропозиції під замовлення: