NGD8201ANT4G
IGBT транзистор
Кол-во в упаковке: 2500, корпус: TO252, вес: 0.2
Технология/семейство | ignition |
Наличие встроенного диода | нет |
Максимальное напряжение КЭ ,В | 440 |
Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 20 |
Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 1.9 |
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 125 |
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 5000 |
Рабочая температура (Tj), °C | -55…+175 |
Корпус | d-pak |
Пошук з наявності в Україні:
Пропозиції під замовлення: