- Товари
- Транзисторы биполярные (BJTs)
- PBSS5540Z.115, Транзистор PNP 40В 5А 2Вт [SOT-223]
PBSS5540Z.115, Транзистор PNP 40В 5А 2Вт [SOT-223]
Low Saturation Voltage PNP Transistors, Nexperia
A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage PNP Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.
A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage PNP Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.
Структура | pnp |
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 40 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 5 |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 150 |
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 120 |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 2 |
Корпус | SOT-223 |
Пошук з наявності в Україні:
Пропозиції під замовлення: