PDTC123ET.215, Транзистор, NPN RET, 50В, 0.1А, R1=2.2кОм, R2=2.2кОм [SOT-23-3]
Товари Транзисторы биполярные (BJTs) PDTC123ET.215, Транзистор, NPN RET, 50В, 0.1А, R1=2.2кОм, R2=2.2кОм [SOT-23-3] PDTC123ET.215, Транзистор, NPN RET, 50В, 0.1А, R1=2.2кОм, R2=2.2кОм [SOT-23-3] Виробник: NXP SemiconductorДокументація: Завантажити Datasheet ОписХарактеристикаПропозиції постачальниківЗ терміном поставкиPDTC123ET.215, Транзистор, NPN RET, 50В, 0.1А, R1=2.2кОм, R2=2.2кОм [SOT-23-3]Структураnpn с 2 резисторамиМакс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В50Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)0.1Статический коэффициент передачи тока h21э мин30Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц230Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт0.25Корпусsot-23Пошук з наявності в Україні: Пропозиції під замовлення:
![PDTC123ET.215, Транзистор, NPN RET, 50В, 0.1А, R1=2.2кОм, R2=2.2кОм [SOT-23-3]](/upload/lib/973/DOC002973808.jpg)