RJH60F7DPQ-A0#T0, Транзистор IGBT Chip N-CH 600В 90А 328.9Вт [TO-247A]
Товари Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs) RJH60F7DPQ-A0#T0, Транзистор IGBT Chip N-CH 600В 90А 328.9Вт [TO-247A] RJH60F7DPQ-A0#T0, Транзистор IGBT Chip N-CH 600В 90А 328.9Вт [TO-247A] Виробник: Renesas TechnologyДокументація: Завантажити Datasheet ОписХарактеристикаПропозиції постачальниківЗ терміном поставкиRJH60F7DPQ-A0#T0, Транзистор IGBT Chip N-CH 600В 90А 328.9Вт [TO-247A]Технология/семействоtrenchНаличие встроенного диодадаМаксимальное напряжение КЭ ,В600Максимальный ток КЭ при 25°C, A90Напряжение насыщения при номинальном токе, В1.75Максимальная рассеиваемая мощность, Вт328.9Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс63Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс142Рабочая температура (Tj), °C-55…+150Корпусto-247aПошук з наявності в Україні: Пропозиції під замовлення:
