• Товари
• Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
• SGP15N120 (GP15N120), Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 30 А, 198 Вт, (замена для BUP213), [TO-220

SGP15N120 (GP15N120), Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 30 А, 198 Вт, (замена для BUP213), [TO-220

Де придбати?

Артикул: SGP15N120 (GP15N120)

Виробник:

Infineon Technologies

Документація:

Завантажити Datasheet

• Опис
• Характеристика
• Пропозиції постачальників
• З терміном поставки

SGP15N120 (GP15N120), Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 30 А, 198 Вт, (замена для BUP213), [TO-220]

Технология/семейство	npt
Наличие встроенного диода	нет
Максимальное напряжение КЭ ,В	1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A	30
Импульсный ток коллектора (Icm), А	52
Напряжение насыщения при номинальном токе, В	3.6
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт	198
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс	18
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс	580
Рабочая температура (Tj), °C	-55…+150
Корпус	pg-to-220-3-1

Пошук з наявності в Україні:

Пропозиції під замовлення: